AMR傳感器與霍爾效應(yīng)傳感器的區(qū)別-韋克威-更高精度,更強(qiáng)抗擾
AMR傳感器(磁性開關(guān))和霍爾效應(yīng)傳感器之間的區(qū)別
AMR磁性材料更小更薄
AMR傳感器可使用的磁場范圍更寬,可以實(shí)現(xiàn)更大的檢測(cè)范圍。
較大的檢測(cè)范圍可減少外殼和安裝中的差異,并且可以使用比霍爾效應(yīng)傳感器更小,更薄的磁體設(shè)計(jì)。
磁鐵方向的差異
在霍爾效應(yīng)傳感器中,當(dāng)磁體直接位于傳感器上方時(shí),該磁體垂直放置。 在AMR傳感器中,磁體平行于傳感器放置。 每個(gè)磁場的檢測(cè)方向是不同的。
由于磁鐵兩極附近的磁力很強(qiáng),因此如果使用垂直放置,則當(dāng)信用卡或其他磁性材料在附近時(shí),可能會(huì)影響數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。 因此,當(dāng)磁體不會(huì)垂直放置在諸如智能手機(jī)和筆記本電腦之類的電子設(shè)備中時(shí),AMR傳感器將非常有用。 (這并不意味著使用水平放置時(shí)磁數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。)
設(shè)計(jì)靈活性
AMR傳感器具有多種可用于檢測(cè)水平磁場的布局模式,因此具有廣泛的設(shè)計(jì)靈活性。
另一方面,霍爾效應(yīng)傳感器通常在垂直方向上對(duì)磁場進(jìn)行精確定位檢測(cè),由于建議磁鐵直接位于霍爾效應(yīng)傳感器的正上方且處于近距離,因此其設(shè)計(jì)靈活性有限。
AMR傳感器與霍爾效應(yīng)傳感器對(duì)比表
AMR傳感器 | 霍爾IC | |
檢測(cè)方向 | 磁電阻效應(yīng) | 霍爾效應(yīng) |
傳感器材料 | Ni和Fe-Si型 | InSb類型 |
檢測(cè)磁場 | 平行 | 垂直 |
探測(cè)區(qū)域 | 寬 | 窄 |
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